可靠和成本优势
使用砷化镓科技能够实现和氮化硅和氮化镓相娉美的性能，但是只需要低很多的成本。
凭借独特和全面的GaAs专利技术，在600V至1700V的电压范围内能实现单芯片电流高达100A，用GaAs制造的PIN二极管、肖特基二极管、双极型晶体管和IGBT的频率可以大大高于硅元件。
3-5PE是第一家致力于开发高电压/大电流功率半导体工业化生产的公司，在砷化镓基板上生长砷化镓层使其成为可能。该工艺使得生产高质量功率半导体成为可能，其制造成本明显低于基于碳化硅器件。
砷化镓功率半导体可用于解决基于硅半导体系统的在高电压和大电流的开关操作和电能传输时效率不够高的问题，并且其可靠性也高很多。
虽然3-5PE的GaAs技术至今还没有在电力电子领域投入应用，但是根据开姆尼茨工业大学电力电子和电磁兼容实验室教授Josef Lutz博士的介绍，与Si、SiC和GaN:Si等半导体相比，砷化镓具有如下优点:
