砷化镓(GaAS)作为到目前为止市场上已有的新型功率半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的补充，已在低压应用中已经使用了几十年，其性能与SiC和GaN两种材料相当，甚至在特定应用中更好。
我们的砷化镓功率半导体可以以更低的成本进行制造，同时也大大降低了相应功率变换系统的电损耗、外形尺寸和成本。