Eine Ergänzung der bisher am Markt angebotenen neuen Leistungshalbleiter Silizium Karbid (SiC) und Gallium Nitrid (GaN) durch ein seit Jahrzehnten im Niedrigvoltbereich eingesetztes Halbleitermaterial GaAs, das vergleichbare oder in bestimmten Applikationen sogar bessere Eigenschaften als die beiden Materialien SiC und GaN besitzt.
Unsere GaAs-Leistungshalbleiter können erheblich kostengünstiger hergestellt werden und reduzieren ebenfalls gravierend die elektrischen Verluste, den Formfaktor und die Kosten entsprechender Energie-Transformations-Systeme.