可靠和成本优势
使用砷化镓科技能够实现和碳化硅和氮化镓相娉美的性能，但成本却低很多。
当前的生产计划是以砷化镓衬底为基础，生产适用于软、硬开关应用，电压等级从400V到1700V，载流能力为100A的PIN二极管。砷化镓是一种直接带隙的半导体，并且禁带宽度大于硅， 因此我们称之为直接带隙宽禁带(direct Wide Band Gap, dWBG)二极管。3-5PE公司是目前全球唯一一个使用砷化镓研制功率半导体的企业，在此之前砷化镓只被用于高频，电压却很低的应用中。
对于硬开关应用
- 进行了优化，实现了低反向恢复电荷Qrr、 小的反向恢复时间trr 、小的反向尖峰电流 Irrm
- 进行了优化，实现了低通态压降Vf
- 具有优异的电磁兼容性能，因此无需额外的电磁兼容滤波器
应用领域: 开关设备的功率因数校正电路、光伏逆变器、开关电源、电机控制、电动汽车和混合动力汽车用逆变器、不间断电源和IGBT模块续流二极管。
砷化镓pin二极管的概念验证
在2019年欧洲PCIM展会（纽伦堡）上， 卡尔斯鲁厄理工学院（Karlsruher Institut für Technologie, KIT）展示了由全碳化硅MOSFET与碳化硅肖特基二极管组成的系统和包含碳化硅MOSFET与砷化镓PIN二极管组成的逆变模块的系统的效率对比。结果显示碳化硅MOSFET与砷化镓PIN二极管组成的系统实现了99.3%的效率，比碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管组成的系统高出了1.6%。
