Das aktuelle Produktionsprogramm basiert auf Galliumarsenid-Substraten (GaAs) und umfasst nur PIN-Dioden für weich- und hartschaltende Anwendungen im Spannungsbereich 400V bis 1700V und Stromstärken bis zu 100A pro Chip. Da GaAs ein Halbleiter mit einer direkten Bandlücke ist und diese größer ist als bei Silizium, bezeichnen wir unsere Bauteile als direct Wide Band Gap (dWBG) Dioden. 3-5 PE ist zurzeit das einzige Unternehmen das GaAs, welches bisher nur für hochfrequente Anwendungen mit sehr niedrigen Spannungen eingesetzt wurde, auch für Leistungshalbleiter nutzt.
