Steigerung der Energieeffizienz in der Leistungselektronik durch jahrzehntelang bewährte Galliumarsenid-Halbleiter-Technologie
mit besseren elektrischen Parametern als Silizium und vergleichbar mit dem Wide-Band-Gap-Material SiC, aber mit deutlich höherer Stromtragfähigkeit und niedrigeren Herstellkosten als SiC.