3-5 Power Electronics GmbH

Unsere Vision

Eine Ergänzung der bisher am Markt angebotenen neuen Leistungshalbleiter Silizium Karbid (SiC) und Gallium Nitrid (GaN) durch ein seit Jahrzehnten im Niedrigvoltbereich eingesetztes Halbleitermaterial GaAs, das vergleichbare oder in bestimmten Applikationen sogar bessere Eigenschaften als die beiden Materialien SiC und GaN besitzt.

Unsere GaAs-Leistungshalbleiter können erheblich kostengünstiger hergestellt werden und reduzieren ebenfalls gravierend die elektrischen Verluste, den Formfaktor und die Kosten entsprechender Energie-Transformations-Systeme.

Unser Unternehmen

35PE wurde Ende 2015 gegründet und hat ein Herstellungsverfahren für dicke GaAs Epitaxie-Schichten entwickelt, um in Phase 1 damit GaAs-Leistungshalbleitern-Dioden und in Phase 2 Transistoren und IGBT zu produzieren, welche die technisch-physikalischen Limitierungen von Silizium-Leistungshalbleiter leistungsmäßig um Faktoren verbessern.

Mit der GaAs-Technologie lassen sich vergleichbare Ergebnisse wie mit SiC und GaN erzielen, aber zu deutlich niedrigen Bauteilkosten. Das Team besteht aus Experten mit langjähriger Halbleitererfahrung in der Technologieentwicklung sowie im Aufbau und Führung von Halbleiternunternehmen.

Unser Fab-lite Business Model

35PE fertigt selbst nur den Epitaxie Kernprozess alle Standard Wafer-Prozessierungsschritte werden fremd vergeben. Das Produktportfolio umfasst gesägte Wafer, diskrete Bauelemente und Module in Standardgehäusen.

Unsere Technologie

Mit der einmaligen und umfassend patentierten GaAs-Technologie für hohe Spannungen zwischen 600V bis 1700V und Stromstärken bis zu 100A pro Chip können PIN-, Schottky-Dioden, Bi-polar Transistoren und auch IGBT mit deutlich höheren Frequenzen als Si-Bauteile hergestellt werden.

Herausragende Eigenschaften der GaAs-Bauelemente

  • Die Speicherladung von GaAs Leistungsdioden beträgt nur ein Siebtel derjenigen aus Si
  • GaAs Leistungsdioden tragen doppelt so viel Strom in Stoßspannungstests
  • Übergangskapazitäten von GaAs Dioden sind um den Faktor von 5 niedriger als bei SiC
  • Kleine Chipflächen
  • Niedrige Defektdichte
  • Sehr geringer RSDon

Applikationen

GaAs Dioden, Transistoren und IGBT können für Schaltvorgänge und Energieübertragungen mit hohen Spannungen und hoher Stromtragfähigkeit eingesetzt werden, um deutlich höhere und effizientere Leistungen mit hoher Zuverlässigkeit zu erzielen.

Einordnung der 35PE-GaAs-Technologie im Vergleich zu Si, SiC und GaN:Si

Anwendungsgebiete der GaAs Technologie

  • Induktives Laden von Batterien
  • Induktives Erwärmen und Schweißen
  • Leistungsfaktorkorrekturfilter in Schaltanlagen
  • Schaltnetzteile
  • Elektro- und Hybrid-Fahrzeuge
  • Solar Inverter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Motor Steuerungen
  • Windkraftanlagen